SIHB21N65EF-GE3 ورقة البيانات
مواصفات SIHB21N65EF-GE3
رقم القطعة : SIHB21N65EF-GE3
الصانع : Vishay Siliconix
وصف : MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
سلسلة : -
حالة الجزء : Active
نوع FET : N-Channel
تقنية : MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف مصدر الجهد (Vdss) : 650V
الحالية - هجرة مستمرة (معرف) @ 25 درجة مئوية : 21A (Tc)
جهد محرك الأقراص (Max Rds On ، Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id، Vgs : 180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
بوابة المسؤول (كغ) (ماكس) @ Vgs : 106nC @ 10V
Vgs (ماكس) : ±30V
سعة الإدخال (كيبك) (ماكس) @ VDS : 2322pF @ 100V
ميزة FET : -
تبديد الطاقة (ماكس) : 208W (Tc)
درجة حرارة التشغيل : -55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع : Surface Mount
حزمة جهاز المورد : D²PAK (TO-263)
حزمة / القضية : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
وزن : -
شرط : جديدة ومبتكرة
ضمان الجودة : 365 يوما الضمان
الأسهم الموارد : تلزيمها الموزع / الصانع المباشر
بلد المنشأ : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
الصانع الجزء رقم
الجزء رقم الداخلية
الصانع
وصف مختصر
MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
الحالة بنفايات
خالية من الرصاص / توافق RoHS
موعد التسليم
1-2 أيام
الكمية المتوفرة
80620 قطع
السعر المرجعي
سعرنا
- (يرجى الاتصال بنا للحصول على سعر أفضل: [email protected])
- AX أشباه الموصلات ديك SIHB21N65EF-GE3 في الأوراق المالية للبيع.
- الشحن الخيارات ووقت الشحن:
- DHL: 2-3 days.
- FEDEX: 2-3 days.
- UPS: 2-4 days.
- TNT: 3-5 days.
- EMS: 5-8 days.
- Normal Post: 10-15 days.
- خيارات الدفع:
- Paypal (Credit Card)
- Bank Transfer (Wire Transfer)
- Western Union
- MoneyGram
منتجات ذات صلة ل SIHB21N65EF-GE3 Vishay Siliconix
| رقم القطعة | علامة تجارية | وصف | يشترى |
|---|---|---|---|
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 7NSNS 324BGA | ||
| Intel | IC CPLD 512MC 10NS 256FBGA | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 10.8NS 208QFP | ||
| Intel | IC CPLD 64MC 4.5NS 100TQFP | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 10.8NS 208QFP | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 384MC 7NS 256BGA | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 384MC 10.8NS 144QFP | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 384MC 9.2NS 324FBGA | ||
| Intel | IC CPLD 1700MC 7NS 256FBGA | ||
| Xilinx Inc. | IC CPLD 512MC 9.2NS 256BGA |